"充电芯片 + 升压芯片 + 功放芯片" 分立架构,打造 2×8W@4Ω 高保真输出THD1% 失真率方案。
▶ 能效比提升 :相比内置升压功放方案,效率有明显的提升。
▶ 全链路优化:充电 - 升压 - 功放三级独立控制,功耗有明显降低。
▶支持 1SPW 模式,支持 Pop 抑制,过压过流过热保护。
"充电芯片 + 升压芯片 + 功放芯片" 分立架构,打造 2×8W@4Ω 高保真输出THD1% 失真率方案。
▶ 能效比提升 :相比内置升压功放方案,效率有明显的提升。
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▶支持 1SPW 模式,支持 Pop 抑制,过压过流过热保护。