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    内置MOS管TP8350、TP8356升压芯片驱动大电流方案
    来源:admin  日期:09-16  栏目:技术资讯

    典型应用电路:

    输入电源为锂电池(3.2vVin4.2v

    1.驱动负载150mAIo500mA

    1TP8350典型应用电路

       

    锂电池输入条件下TP8350驱动大负载电路

     

    建议各器件参数L=47uH(内阻<0.1ohm),Cin=47uF(实际应用中可不接该电容),

    Diode=1N58171N58181N5819

    Cout20uF电解电容(或20uF胆电容串联0.5欧姆电阻)和0.1uF陶瓷电容并联。

    驱动400mA负载下,效率高于80%

    2TP8356典型应用电路

    锂电池输入条件下TP8350驱动大负载电路

    建议各器件参数L=100uH(内阻<0.1ohm),Cin=47uF(实际应用中可不接该电容),

    Diode=1N58171N58181N5819

    Cout20uF电容(不分电解电容、胆电容)串联0.5欧姆电阻和0.1uF陶瓷电容并联。

    驱动400mA负载下,效率高于80%

     

    2  驱动负载Io<150mA

           TP8350TP8356外围器件参数参照TP83规格书中典型应用电路的参数。

     

    注意:TP8350TP8356应用中陶瓷电容0.1uF~1uF必须接上,并且靠近芯片输出端。


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